最新解剖实验员应聘三分钟及感悟

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更新时间:2023-12-22 16:11:10 发布时间:24小时内

最新解剖实验员应聘三分钟及感悟一

学 号:

姓 名:

教 师:

年6月28日

实验一 去塑胶芯片的封装

同组人员:

一、实验目的

1.了解集成电路封装知识,集成电路封装类型。

2.了解集成电路工艺流程。

3.掌握化学去封装的方法。

二、实验仪器设备

1:烧杯,镊子,电炉。

2:发烟硝酸,弄硫酸,芯片。

3:超纯水等其他设备。

三、实验原理和内容

1..传统封装:塑料封装、陶瓷封装

(1)塑料封装(环氧树脂聚合物)

双列直插 dip、单列直插 sip、双列表面安装式封装 sop、四边形扁平封装 qfp 具有j型管脚的塑料电极芯片载体plcc、小外形j引线塑料封装 soj

(2)陶瓷封装

具有气密性好,高可靠性或者大功率

a.耐熔陶瓷(三氧化二铝和适当玻璃浆料):针栅阵列 pga、陶瓷扁平封装 fpg

b.薄层陶瓷:无引线陶瓷封装 lccc

2..集成电路工艺

(1)标准双极性工艺

(2)cmos工艺

(3)bicmos工艺

3.去封装

1.陶瓷封装

一般用刀片划开。

2. 塑料封装

化学方法腐蚀,沸煮。

(1)发烟硝酸 煮(小火) 20~30分钟

(2)浓硫酸 沸煮 30~50分钟

四、实验步骤

1.打开抽风柜电源,打开抽风柜。

2.将要去封装的芯片(去掉引脚)放入有柄石英烧杯中。

3.带上塑胶手套,在药品台上去浓硝酸。向石英烧杯中注入适量浓硝酸。(操作时一定注意安全)

4.将石英烧杯放到电炉上加热,记录加热时间。(注意:火不要太大)

5.观察烧杯中的变化,并做好记录。

6.取出去封装的芯片并清洗芯片,在显微镜下观察腐蚀效果。

7.等完成腐蚀后,对废液进行处理。

五、实验数据

1:开始放入芯片,煮大约2分钟,发烟硝酸即与塑胶封转起反应,

此时溶液颜色开始变黑。

2:继续煮芯片,发现塑胶封装开始大量溶解,溶液颜色变浑浊。

3:大约二十五分钟,芯片塑胶部分已经基本去除。

4:取下烧杯,看到闪亮的芯片伴有反光,此时芯片塑胶已经基本去除。

六、结果及分析

1:加热芯片前要事先用钳子把芯片的金属引脚去除,因为此时如果不去除,它会与酸反应,消耗酸液。

2:在芯片去塑胶封装的时候,加热一定要小火加热,因为发烟盐酸是易挥发物质,如果采用大火加热,其中的酸累物质变会分解挥发,引起容易浓度变低,进而可能照成芯片去封装不完全,或者去封装速度较慢的情况。

3:通过实验,了解了去塑胶封装的基本方法,和去封装的一般步骤。

实验二 金属层芯片拍照

实验时间: 同组人员:

一、实验目的

1.学习芯片拍照的方法。

2.掌握拍照主要操作。

3. 能够正确使用显微镜和电动平台

二、实验仪器设备

1:去封装后的芯片

2:芯片图像采集电子显微镜和电动平台

3:实验用pc,和图像采集软件。

三、实验原理和内容

1:实验原理

根据芯片工艺尺寸,选择适当的'放大倍数,用带ccd摄像头的显微镜对芯片进行拍照。以行列式对芯片进行图像采集。注意调平芯片,注意拍照时的清晰度。2:实验内容

采集去封装后金属层照片。

四、实验步骤

1.打开拍照电脑、显微镜、电动平台。

2.将载物台粗调焦旋钮逆时针旋转到底(即载物台最低),小心取下载物台四英寸硅片平方在桌上,用塑料镊子小心翼翼的将裸片放到硅片靠中心的位置上,将硅片放到载物台。

3.小心移动硅片尽量将芯片平整。

4.打开拍照软件,建立新拍照任务,选择适当倍数,并调整到显示图像。(此处选择20倍物镜,即拍200倍照片)

5.将显微镜物镜旋转到最低倍5x,慢慢载物台粗调整旋钮使载物台慢慢上升,直到有模糊图像,这时需要小心调整载物台位置,直至看到图像最清晰。

6.观察图像,将芯片调平(方法认真听取指导老师讲解)。

10.观测整体效果,观察是否有严重错位现象。如果有严重错位,要进行重拍。

11.保存图像,关闭拍照工程。

12.将显微镜物镜顺时针跳到最低倍(即: 5x)。

13.逆时针旋转粗调焦旋钮,使载物台下降到最低。

14.用手柄调节载物台,到居中位置。

15.关闭显微镜、电动平台和pc机。

五、实验数据

采集后的芯片金属层图片如下:

六、结果及分析

1:实验掌握了芯片金属层拍照的方法,电动平台和电子显微镜的使用,熟悉了图像采集软件的使用方法。

2:在拍摄金属层图像时,每拍完一行照片要进行检查,因为芯片有余曝光和聚焦的差异,可能会使某些照片不清晰,对后面的金属层拼接照成困难。所以拍完一行后要对其进行检查,对不符合标准的照片进行重新拍照。

3:拍照是要保证芯片全部在采集视野里,根据四点确定一个四边形平面,要确定芯片的四个角在采集视野里,就可以保证整个芯片都在采集视野里。

4:拍照时的倍数选择要与工程分辨率保持一致,过大或过小会引起芯片在整个视野里的分辨率,不能达到合适的效果,所以采用相同的倍数,保证芯片的在视野图像大小合适。

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