半导体行业年中总结范文 第一篇
20xx年7月，我顺利完成了学业，从xx建设职业技术学院城市建设工程系城市管理专业毕业。20_年x月工作于xx混凝土有限公司，现任质量技术部部长。工作期间，我努力钻研专业技术知识，在技术管理过程中不断学习新工艺、新材料、新技术，对科技创新和技术进步倾注了满腔热情。任职以后，在公司锻炼的几年中，通过理论联系实际，在大学期间所学的专业理论知识迅速转化为了业务能力。作为公司的技术和质量管理部门，在公司经理和公司总工程师的直接领导下，对技术管理一丝不苟，对混凝土质量从严控制。五年来，在为公司的发展贡献自己的聪明才智的过程中，也使个人的专业技术能力得到了充实和提高。总之，五年来自己做了一些有益的工作，但也存在着很多有待提高的问题。
现对几年来的专业技术工作总结如下：
一、工作态度、岗位职责
自参加工作以来，遵守公司的各项规章制度，积极服从领导的工作安排，圆满完成工作任务，认真贯彻执行国家有关标准规定。重视学习业务知识，积极利用参加培训班等机会聆听专家的指导，向专家请教学习，提高自己的业务能力。紧紧围绕本职工作的重点，积极学习国家有关标准新知识，努力做到融汇贯通，联系实际。在实际工作中，把业务知识和新技术知识结合起来，拓宽思路，丰富自己，努力适应新形势、新标准对本职工作的要求。认真做好本职工作和日常事务性工作，建立健全各项规章制度，保持良好的工作秩序和工作环境使各项管理日趋正规化、规范化。预拌混凝土生产是一个联动机构组织。从原材料进厂把关，到搅拌过程质量控制和混凝土出厂前质量放行程序的控制。随时发现混凝土质量波动并及时调整，采取可行的方法，确保混凝土质量。几年来，坚持工作踏实，任劳任怨，务实高效，不断自我激励，自我鞭策，时时处处严格要求自己，自觉遵守国家有关标准规定，确实执行本岗位负责试验检测的原材料及混凝土的有关标准、试验方法及有关规定，做到所做每项检验都有法可依，妥善地做好本职工作，没有出现任何纰漏，取得了一定成绩。
二、具体工作
在从事混凝土工程相关工作经历中，我先于20xx从事原材料检测，20xx年从事混凝土外加剂研究，20xx年从事混凝土质量控制，基本上对混凝土的运输、浇筑、养护和混凝土质量检验都有一定的认知，能够独立编制混凝土专项施工方案，以及相关技术交底工作。对混凝土配合比和混凝土裂缝控制的也有较为深入了解，对大体积混凝土和特殊混凝土正在逐步摸索之中。对复配混凝土外加剂也有2年之久，通过拌制试配小样，对新技术、新工艺、新材料进行反复论证和试验。
具体举例：
1、原材料控制。坚持“不接受不合格材料，不储存不合格材料，不生产不合格产品”的“三不”原则。制定更完善，更严格的检验制度，严格控制各种原材料质量。对进场材料按规范要求及时进行检测，做到无漏检、错检。保证用于生产的材料合格率达到100%，不合格的材料坚决拒绝进入公司料场。同时，积极与材料部沟通和协条，尤其做好对连续生产的大方量混凝土的原材料的准备和储备计划工作。加强与材料供应商的沟通工作，力争让原材料在进场前便处于监控中。
2、成本控制。水...
半导体行业年中总结范文 第二篇
电子技术员工作总结
进公司以来，本人尊敬领导，与同事关系融洽。为尽快进入工作角色，本人自觉认真学习本公司、本部门、本岗位的各项制度、规则，严格按照公司里制定的工作制度开展工作。在这近三个月的工作和学习中，接触了不少人和事，在为自己的成长欢欣鼓舞的同时，我也明白自己尚有许多缺点需要改正。工作以来，在领导的教导和培养下，在同事们的关心和帮助下，自己的思想、工作等各方面都取得了一定的成绩，个人综合素质也得到了一定的提高，现将这三个月来的个人工作总结如下：
一、工作情况
怀着对生活的无限憧憬，我进入了林洋公司。
在试用期的工作中，一方面我严格遵守公司的各项规章制度，不迟到、不早退、严于律己，自觉的遵守各项工作制度;另一方面，吃苦耐劳、积极主动、努力工作;在完成领导交办工作的同时，积极主动的协助其他同事开展工作，并在工作过程中虚心学习以提高自身各方面的能力;工作细节中，我看到公司正逐步做大做强，以目前的趋势，我可以预见公司将有一个辉煌的明天。作为新员工，目前我所能做的就是努力工作，让自己在平凡的岗位上挥洒自己的汗水，焕发自己的热情;使自己在基层得到更多的锻炼。
二、学习情况
现在是我努力学习的阶段。“三人行，必有我师”，公司中的每一位同事都是我的老师，他们的丰富经验和工作行为对于我来说就是一笔宝贵的财富。记得我刚到公司的时候，对生产线上的一切都感到陌生而新奇。因为我之前没有过类似的工作经验，所以知道的也有限，但是在领导和同事的的热心帮助下，我受益颇多。带着饱满的工作热情，我逐渐熟悉了设备的操作。尽管我只是入门，而且相对而言年龄要大一点，但是我和其他年轻人一样对工作充满着热情。为尽快提高自己在本职方面的知识和能力，充分发挥自己的主观能动性，我利用业余时间多和同事交流学习，在短短三个月中理论结合实践让我对变电站的基本设备有了真正的认识，这为今后的工作打下了基矗
作为新员工，我经常思考的问题就是如何避免失误，特别是在试用期间，严谨的工作态度决定了自身的工作效率，为此我经常向同事请教。
在公司呆了三个月，我接触了很多同事，就在接触他们的同时，我才知道在集体和-谐相处是快乐工作的保证。无论是社会还是单位“为人处事”都是一门高深的学问。对于这门高深的学问，我目前首要做的是诚实做人、努力工作!
三、思想情况
作为一名新员工，我今后的职业生涯还很长，学习的机会还很多。为此我将尽我所能地对我的工作进行开拓，做出成绩。为早日实现目标，我要求自己：努力工作，保持优点，改正缺点，充分体现自己的人生价值，为企业美好的明天尽一份力。我更希望通过公司全体员工的努力可以把公司推向一个又一个的颠峰。以上是我的试用期工作总结，感谢各位领导给我一个转正的机会。
【扩展阅读篇】
工作总结格式一般分为：标题、主送机关、正文、署名四部分。
(1)标题。一般是根据工作总结的中心内容、目的要求、总结方向来定。同一事物因工作总结的方向——侧重点不同其标题也就不同。工作总结标题有单标题，也有双标题。字迹要醒目。单标题就是只有一个题目，如《我省干部选任制度改革的一次成功尝试》。一般说，工作总结的标题由工作总结的单位名称、工作总结的时间、工作总结的内容或种类三部分组成。如“××市化工厂1995年度生产工作总结”“××市××研究所1995年度工作总结”也可以省略其中一部分，如：“三季度工作总结”，省略了单位名称。xxx的《关于打退第二次xxx高潮的总结》，其标题不仅省略了总结的单位名称，也省略了时限。双标题就是分正副标题。正标题往往是揭示主题——即所需工作总结提炼的东西，副标题往往指明工作总结的内容、单位、时间等。例如：辛勤拼搏结硕果——××县氮肥厂一九九五年工作总结——
半导体行业年中总结范文 第三篇
篇1：林业技术员工作总结 林业技术员工作总结
时光飞逝，转眼间xxxx年就要过去。在这一年里，本人在思想上、工作上都严格要求自己，做好工作中的每一件事。在思想上和工作上都取得了一定的进步。一、政治、思想道德等方面
本人以xxx理论和“xxxx”重要思想为指导，坚持四项基本原则，坚持贯彻执行xxx的各项方针政策，始终和xxx保持一致。深入贯彻落实党的xx大和xx届四、五中全会精神，热爱祖国，热爱人民，拥护中国xxx，维护国家统一、反对xxx、反对各种非法宗教，坚决与搞xxx、破坏民族团结分子作斗争。坚决打击各种形式的恐怖主义，保持社会稳定。遵守国家的宪法、法律及各项规章制度，从各方面严格要求自己，以身作则、严于律己，积极向党组织靠拢。二、科研开发工作方面
1、参加周所长主持的《nsi-415保水剂区试》课题，参与了部分外业工作。
2、参加周所长主持的《大沙枣采穗圃建设项目》的南疆地区大果沙枣资源调查工作，负责写了“大沙枣资源调查报告”。
3、参加吉小敏负责的“xxxx军区三荒造林工程”项目的全施工过程。 4、本年度完成咨询项目3项，“奇台林场森林公园总规”、“福海林场森林公园可研”和“布尔津林场农业开发项目可研” 的部分外业工作和内业汇报材料的编写工作。院属课题一项“天山林区林下植物资源调查及其保护性开发与利用研究项目” 建议书。参与“昌吉市xx年度重点公益林营造”编写工作的部分内容。5、参加阿尔泰山野生花卉资源调查工作，写了“阿尔泰山野生花卉资源调查报告”。6、在《xx林业》、《xx林业科技》和《农村科技》上发表论文3篇。以上便是我的工作情况，当然，我自身还有不少缺点，比如，工作还不太主动，工作能力还需提高、课题申报不积极、与同事沟通不够等。在以后的工作中，我将多向其它同志请教，继续发扬优点，改正缺点，争取为园林所的发展壮大，尽一份微薄之力。篇2：林业技术员述职报告 林业技术员述职报告-述职报告 〔林业技术员述职报告〕随文赠言：【受惠的人，必须把那恩惠常藏心底，但是施恩的人则不可记住它。——西塞罗】篇3：林业技术员工作总结 林业技术员工作总结 一、思想政治方面
xxxx年年底和xxxx年年初参加了单位组织的河北林果业考察组的考察活动，视察了河北各个县和北京的林果业的发展情况，10天左右时间内对他们的造林模式和栽培管理方面的先进技能我们有了初步的认识和体会。
1月份和2月份本人在单位，按领导的安排完成了有些科研项目的编写工作，积极参加了院里举行的林果业培训和其他活动。2月28日跟周所长一块到库尔勒去完成了金银花项目的部分工作。
3月28日到4月5日，5月28日到6月2日，7月7日到7月15日这个期间主要参加完成了乌苏古尔图“三荒”造林建设工程项目。
插等等工作，还承担了引进课题和红柳课题的除草和浇水等等工作。8月1日到8月10日在科技厅参加了继续教育。
8月16日到8月29日这个期间内在南疆参加了大沙枣资源调查工作。8月31日一直到现在在中国林科院学习。三、学习和其他方面
半导体行业年中总结范文 第四篇
时光飞逝，转眼间xxxx年就要过去。在这一年里，本人在思想上、工作上都严格要求自己，做好工作中的每一件事。在思想上和工作上都取得了一定的进步。
一、政治、思想道德等方面
本人以xxx理论和“三个代表”重要思想为指导，坚持四项基本原则，坚持贯彻执行xxx的各项方针政策，始终和xxx保持一致。深入贯彻落实党的xxx和十六届
四、五中全会精神，热爱祖国，热爱人民，拥护中国xxx，维护国家统
一、反对xxx、反对各种非法宗教，坚决与搞xxx、破坏民族团结分子作斗争。坚决打击各种形式的恐怖主义，保持社会稳定。遵守国家的宪法、法律及各项规章制度，从各方面严格要求自己，以身作则、严于律己，积极向党组织靠拢。
二、科研开发工作方面
1、参加周所长主持的《nsi-415保水剂区试》课题，参与了部分外业工作。
2、参加周所长主持的《大沙枣采穗圃建设项目》的南疆地区大果沙枣资源调查工作，负责写了“大沙枣资源调查报告”。
3、参加吉小敏负责的“xxxx军区三荒造林工程”项目的全施工过程。
4、本年度完成咨询项目3项，“奇台林场森林公园总规”、“福海林场森林公园可研”和“布尔津林场农业开发项目可研” 的部分外业工作和内业汇报材料的编写工作。院属课题一项“天山林区林下植物资源调查及其保护性开发与利用研究项目” 建议书。参与“昌吉市XX年度重点公益林营造”编写工作的部分内容。
5、参加阿尔泰山野生花卉资源调查工作，写了“阿尔泰山野生花卉资源调查报告”。
6、在《xx林业》、《xx林业科技》和《农村科技》上发表论文3篇。
以上便是我的工作情况，当然，我自身还有不少缺点，比如，工作还不太主动，工作能力还需提高、课题申报不积极、与同事沟通不够等。在以后的工作中，我将多向其它同志请教，继续发扬优点，改正缺点，争取为园林所的发展壮大，尽一份微薄之力。
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半导体行业年中总结范文 第五篇
第一章
2、列出20世纪上半叶对半导体产业发展做出贡献的4种不同产业。P2 答：真空管电子学、无线电通信、机械制表机及固体物理。答：高速、耐久性、功率控制能力。缺陷：功耗高。19.场效应晶体管（FET）有什么优点？P49 答：利于提高集成度和节省电能。的最大优势是什么？P49
3、什么时间、什么地点、由谁发明了固体晶体管？P3 答：1947年12月16日在贝尔电话实验室由威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布拉顿发明了固体晶体管。
5、列出5个集成时代，指出每个时代的时间段，并给出每个时代每个芯片上的元件数。P4
6、什么是硅片？什么是衬底？什么是芯片？
答：芯片也称为管芯（单数和复数芯片或集成电路），硅圆片通常被称为衬底
8、列出集成电路制造的5个重要步骤，简要描述每个步骤。P4
10、列出提高微芯片制造技术相关的三个重要趋势，简要描述每个趋势。P8
11、什么是芯片的关键尺寸？这种尺寸为何重要？P9
13、什么是摩尔定律？它预测了什么？这个定律正确吗？P10
14、自1947年以来靠什么因素使芯片价格降低？给出这种变化的两个原因。
16、描述硅片技师和设备技师的职责。P16
第三章
11.解释pn结反偏时发生的情况。P45
答：导致通过二极管的电流很小，甚至没有电流。12.解释pn结正偏时发生的情况。P45
答：将一正偏施加于pn结，电路中n区电子从偏压电源负极被排斥。多余的电子从负极注入到充满空穴的p区，使n区中留下电子的空穴。同时，p区的空穴从偏压电源正极被排斥。由偏压电源正极提供的空穴中和由偏压电源负极提供的电子。空穴和电子在结区复合以及克服势垒电压大大的减小了阻止电流的行为。只要偏压对二极管能维持一个固定的空穴和电子注入，电流就将持续的通过电路。
13.双极晶体管有多少个电极、结和类型？电极的名称分别是什么？类型名称分别是什么？P46
答：有三电极和两个pn结、两种类型。电极名称：发射极、基极、集电极。类型名称：pnp、．BJT是什么类型的放大器器件？它是怎么根据能量要求影响它的应用的？P47
答：驱动电流的电流放大器件。发射极和集电极都是n型的重掺杂，比如砷或磷。基极是p型杂质硼的轻掺杂。基极载流子减少，基极吸引的电流将明显地比集电极吸引的电流小。这种差别说明了晶体管从输入到输出电流的增益。晶体管能线性地将小的输入信号放大几百倍来驱动输出器件。
18.双极技术有什么显著特征？双极技术的最大缺陷是什么？P48
答：低电压和低功耗。
的两种基本类型是什么？他们之间的主要区别是什么？P50
答：结型（JFET）和金属-氧化物型（MOSFET）半导体。区别是：MOSFET作为场效应晶体管输入端的栅极由一层薄介质与晶体管的其他两极绝缘。JFET的栅极实际上同晶体管其他电极形成物理的pn结。
有哪两种类型？它们怎么区分？P50 答：nMOS(n沟道)和pMOS（p沟道）。每种类型可由各自器件的多数载流子来区分。
第四章
1.列举得到半导体级硅的三个步骤。半导体级硅有多纯？P64
4.描述非晶材料。为什么这种硅不能用于硅片？P65 9.为什么要用单晶进行硅片制造？P67 14.什么是CZ单晶生长法？P68
22.为什么要用区熔法生长硅晶体？P71 23.描述区熔法。P71
25.给出更大直径硅片的三大好处。P72 26.什么是晶体缺陷？P73
37.在直径为200mm及以上硅片中切片是怎么进行的？P77
41.为什么要对硅片表面进行化学机械平坦化？P78 43.列举硅片的7种质量要求。P79
第五章
1.什么是物质的四种形态？试分别描述之。P87
6.描述三种温标，哪一种是科学工作中最常用的温标？P89
8.给出真空的定义。什么是最常用的真空单位，它是怎么定义的？P91
9.给出冷凝和蒸发的定义。吸收和吸附之间有什么不同？P91-92
11.给出升华和凝华的定义。P92 13.什么是表面张力？P93
14.给出材料的热膨胀系数P94。
20.什么是酸？列出在硅片厂中常用的三种酸。P95 21.什么是碱？列出在硅片厂中常用的三种碱。P96 23.什么是溶剂？列出在硅片厂中常用的三种溶剂。P97 24.描述在硅片厂中使用的去离子水的概念。P97 31.什么是处理特殊气体所面临的最大挑战？P99 38.描述三种特殊气体并分别举例。P101
第六章
4.说明五类净化间沾污。P107
6.解释半导体制造中可以接受的颗粒尺寸的粗略规则。P108
9.什么是MIC?P109
13.解释自然氧化层。识别由自然氧化层引起的三种问题。27．为什么潮湿是工艺腔的一大问题.P183
28．列出减少设备维修中的沾污的必要步骤。P184
第九章
1．列出芯片厂中6个不同的生产区域并对每一个区域做P110
15.给出在硅片制造中由ESD引起的三种问题。P111 16.列举硅片制造厂房中7种沾污源。P112 30.列举并解释ESD的三种控制方法。P117 34.描述反渗透(RO)过滤。什么是超过滤？P119 39.列举并讨论四类过滤器。P121 42.描述工艺气体的过滤。P121
49.描述微环境，解释为何这种环境在净化间内改善了沾污控制。P125
53.描述RCA清洗工艺。P126
61.列出典型的硅片湿法清洗顺序。什么是清洗槽？P127
第七章
1.什么是测量学？集成电路制造中测量学的目的是什么？P140
2.缺陷的定义。硅片缺陷密度是怎样定义的？P140
6.半导体质量测量的定义。列出在集成电路制造中12种不同的质量测量。陈述使用不同质量测量的工艺。P142 10.解释四探针法，并给出测方块电阻四探针法的优点。P144-145
12.解释等值线图。P145
13.解释椭偏仪的基本原理。用椭偏仪测薄膜厚度有哪些优点？P145-146
17.用X射线怎样测薄膜厚度？XRF是什么的缩写。什么是全反射XRF?P147
24.什么是亮场探测？什么是暗场探测？P151 28.解释什么是每步每片上的颗粒数（PWP）。P153 29.哪些是硅片关键尺寸的主要测量工具。P154 30.解释SEM的主要操作。P154
33.什么是套准精度？陈述并解释测量套准精度的主要技术。P156
36.描述二次离子质谱仪（SMIS）。P160 38.解释什么是原子加力显微镜。P162 41.解释透射电子能显微镜。P163
43.描述聚焦离子束加工并解释它的好处。P165
第八章
1．什么是工艺腔？它的五项功能是什么？P171 4．半导体制造业中的真空由有什么优点？P173 7．什么是平均自由程？为什么它很重要？P173 12．描述冷凝泵的原理，并解释其过程。P176
16．列出气流控制中4个基本的对工艺腔的要求。P178 19．质量流量计的原理是什么？P178
23．什么是等离子体？它对工艺腔有什么益处？P181
简单的描述。P188-189
3．举出在高温设备中进行的5步工艺。P189 4．光刻的目的是什么？P189
11．举出薄膜区用到的4种不同的设备和工艺。P191 13．列出典型的CMOS工艺的14个主要生产步骤。P192 17．离子注入后进行退火工艺的原因是什么？P194 19．什么是浅槽隔离？它取代了什么工艺？P194 25．轻掺杂漏（LDD）注入是如何减少沟道漏电流效应的？P197
26．解释侧墙的目的。P198 29．什么是局部互连？P200
31．什么是通孔？什么是钨塞？P201
第十章
1．生长氧化层与淀积氧化层间的区别是什么？P210 3．热预算的定义，解释为什么其不受欢迎。P211
11．列出热氧化物在硅片制造的6种用途，并给出各种用途的目的。不懂这题。
14．如果热生长氧化层厚度为20_A，那么硅消耗多少？0
17．举出氧化工艺中掺氯的两个优点。P217 24．解释晶体晶向对氧化物生长的影响。P218
27．LOCOS是什么，热氧化中如何使用？鸟嘴效应是什么，为什么它不受欢迎？P220 28．解释浅槽隔离（STI）。P220 32．什么是热壁炉？P222
33．列出卧式炉和立式炉的五个性能因素，判断哪种炉体是最适合的。P223
47．什么是快速热处理（RTP）？相比于传统炉其6大优点是什么？P228
第十一章
1． 什么是多层金属化？它对芯片加工来说为什么是必
需的？P240
3． 解释ILD层的作用。在芯片中，ILD-1层所在的位置
是哪里？P241
4． 什么是薄膜？列举并描述可接受的薄膜的8个特征。
P242
5． 什么是深度比？为什么高深度比对ULSI器件很重
要？P243
6． 列举并描述薄膜生长的三个阶段。P244 7． 列举淀积的5种主要技术。P245 8． 什么是CVD?P246
11．识别并描述CVD反应中的8个步骤。P247
20．为什么LPCVD较APCVD更普遍？描述LPCVD的工艺过程。P253
27．什么是PECVD?PECVD和LPCVD的主要差别是什么？P257
40．什么是外延？解释自掺杂和外扩散。P267 41．列举并讨论外延的三种方法。P268
第十二章
9． 列出并讨论引入铜金属化的5大优点。P283
17．描述钨塞填充，并讨论它是怎样被用于多层金属化的？P289
18．为什么蒸发作为金属淀积系统被取代？P290 30．在高级IC中，什么是产生钨填充的典型方法？ 32．解释铜电镀的基本过程。P299
35．列出双大马士革金属化过程的10个步骤。P302
第十三章
1． 什么是光刻？P310
2． 描述投影掩膜版和掩膜版的区别。P311 4，定义分辨率。P312
5．什么是套准精度？它对掩膜版的套准容差有什么作用？P313
6．讨论工艺宽容度。P314
7．解释负性和正性光刻的区别。P314 8．描述亮场掩膜版。P315 10．列出光刻的8个步骤，并对每一步做出简要解释。P316 14．HMDS是什么？起到什么作用？P317 17．给出硅片制造中光刻胶的两种目的。P322 28．列出并描述I线光刻胶的4种成分。P325 29．负胶的两大缺点是什么？P326
34．给出I线正胶具有良好分辨率的原因。P327 35．为什么I线光刻胶不能用在深紫外波长？P328 42．列出并描述旋转涂胶的4个基本步骤。P330 45．描述边圈去除。P333
46．陈述软烘的4个原因。P333
第十四章
3． 步进光刻机的三个基本目标是什么？P342 7．列出并解释两种形式的光波干涉。什么是滤波器？P344 8．什么是电磁波谱，什么是UV范围？P345
9．列出并描述光刻中使用的两种UV曝光光源。P346 13．哪种激光器用做248nm的光源？193nm的光源是什么？P348
14．什么是空间想干？为什么在光刻中控制它？P348 24．什么是数值孔径？陈述它的公式，包括近似公式。P353 26．列出并解释硅片表面光反射引起的最主要的两个问题。P354
27．什么是抗反射涂层，它是怎样减小驻波的？P354 28．陈述分辨率公式。影响光刻分辨率的三个参数是什么？P358
30．计算扫描光刻机的分辨率，假设波长是248nm，NA是，k是。P358
31．给出焦深和焦面的定义。写出计算焦深的公式。P359 35．解释接触光刻机。它使用掩膜还是投影掩膜？P360 36．解释接近光刻机是怎样工作的。它要解决什么问题？P361
37．解释扫描投影光刻机是怎样工作的。扫描投影光刻机努力解决什么问题？P361
38．解释分步重复光刻机的基本功能。P363
39．光刻中采用步进扫描技术获得了什么好处？P364
第十五章
1． 解释光刻胶显影，其目的是什么？P387第一段第一句 2． 为什么要对化学放大深紫外光刻胶进行后烘？简述
去保护作用。P385
3． 为什么温度均匀性对后烘很重要？P385
.5。简述负胶显影。负胶用于亚微米图形的主要问题是什么？P386
6．为什么正胶是普遍使用的光刻胶？P88 9．最常用的正胶是指哪些光刻胶？P388 12．对化学放大深紫外光刻胶而言，PHS与显影液之间是否发生了化学反应？P389
13．列举两种光刻胶显影方法。P389 14．解释连续喷雾显影。P389 15．描述旋覆浸没显影。P390
17．解释为什么要进行坚膜。P391 19．为什么要进行显影后检查？P392
21．列举出下一代光刻技术中4种正在研究的光刻技术。P393
第十六章
1． 定义刻蚀，刻蚀的目的是什么？P404
2． 刻蚀工艺有哪两种类型？简要描述各类刻蚀工艺。
P405
3． 列出按资料分类的三种主要干法蚀刻。P405 4． 解释有图形和无图形刻蚀的区别。P405 5． 列举9个重要的刻蚀参数。P406
7．解释负载效应以及它与刻蚀速率的关系。P406 10．什么是方向性？为什么在刻蚀中需要方向性？P407？（这个没找到确切的答案）
12．定义选择比。干法刻蚀有高的或低的选择比？高选择比意味着什么？描述并解释选择比公式。P409 13．什么是刻蚀均匀性？获得均匀性刻蚀的难点是什么？解释ARDE并讨论它与刻蚀均匀性的关系。ARDE的另一个名字是什么？P409~410
14．讨论刻蚀残留物，他们为什么产生以及要怎样去除？P410
16．什么刻蚀中的等离子体诱导损伤，以及这些损伤带来
什么问题?P411 18．干法刻蚀的目的是什么？列举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？P411
19．列举在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法。P412 20．解释发生刻蚀反应的化学机理和物理机理。P412 25．描述圆桶式等离子体刻蚀机。P414 26．描述平板反应器。P415
29．解释离子束铣。他是用什么材料？P417 33．描述电子回旋共振。P419 37．什么是终点检测？为什么在干法刻蚀中它是必需的？最常用的终点检测类型是什么？P422
十七章
1、什么是掺杂？ P442
3、简要描述热扩散。P443
4、简要描述离子注入。 P443
5、请列举用于硅片制造的5种常用杂质。
8、什么是结深？P444
10、列举并解释扩散的三个步骤。P445
14、为什么杂质需要激活？P446
15、什么是杂质的固溶极限？P446
16、解释横向扩散以及不希望有横自扩散的原因。 P447
21、给出离子注入机的概况、P448
22、说明亚微米工艺中掺杂的两个主要目标。P448
23、列举离子注入优于扩散的7点。P449
24、离子注入的主要缺点是什么？如何克服？P450
27、什么是射程？解释能量与射程之间的关系。P450
28、如果电荷数为1的正离子在电势差200keV的电场中运动，它的能量是多少？P450
29、列举离子注入机的4种类型，并简要描述。P451
32、描述注入过程中的两种主要能量损失机制。P451
34、列举离子注入设备的5个主要子系统。P453
35、离子源的目的是什么？最常用的离子源材料是什么？0N P453
39、质量分析器磁铁的作用是什么？描述质量分析器的功能。P455
40、加速管是怎样增加粒子束能量的？P456
45、解释离子束扩散和空间电荷中和。P458
46、形成中性离子束陷阱的原因是什么？P458
47、列举并简要解释4种扫描系统。P459
50、讨论硅片充电、二次电子喷淋和等离子电子喷淋。P460
53、退火的目是什么？高温炉退火和RTA哪一个更优越？P463
55、描述沟道效应。列举并简要解释控制沟道效应的三种机制P464。
十八章
41、描述表面形貌，较高的芯片封装密度会引起表面形貌的何种变化？ 478
3、列举和论述三种传统的平坦化方法。480
5、描述化学机械平坦化，CMP是在恩怨实现的平坦化的？482
4、什么是平坦度？如果SHpre10um,SHpost1um，那么DP是多少？483
5、解释WIWNU和WTWNU之间的差别。484
6、列举并解释CMP的9个优点。484
7、列举并解释CMP的4个缺点。484
8、叙述用于解释CMP平坦化表面方式的两种机理484
2、解释金属抛光的原理。485
36、定义磨料。为什么磨料对CMP很重要？487
22、描述抛光垫。488
23、解释表面平滑。修正的目的是什么？488~~489
54、CMP中为什么需要终点检测？491
11、列举并描述在CMP中用的两种终点检测类型。电机电流终点检测，光学终点监测
36、CMP清洗的终点是什么？493
40、列举并简单描述硅片制造中用到CMP的6个例子。495
十九章
1、定义硅片测试。硅片测试的目的是什么？ 506
2、列举并描述IC生产过程中的5种不同电学测试。 507
3、列出硅片制造过程中完成的两种硅片级测试。 507
6、在线参数测试的另一个名称是什么？在线参数测试是直流测试还是交流测试？ 509
7、列举并解释5个进行在线参数测试的理由。 509
48、什么是划片道监控？509
49、列举并解释在线参数测试中要做的5种不同测试。510
30、解释硅片级可靠性。给出一个硅片级可靠性测试的例子。512
16、列举在线参数测试的4个主要子系统。512
31、列举并解释硅片挑选测试的目标。515
17、列举并描述硅片挑选测试中的三种典型电学测试。516
51、列出影响硅片挑选测试的4个要素。519
41、列举并描述三种成品率模型。523
17-607宿舍终结版
